申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2022-05-05

公开（公告）日：2022-09-20

公开（公告）号：CN115084149A

主分类号：H01L27/11524

分类号：H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/11575;H01L27/11548

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要：本申请公开了一种3D存储器件、3D存储器件的制造方法及存储系统。该3D存储器件包括至少一个堆叠单元，每个堆叠单元包括第一叠层结构和位于第一叠层结构上的第二叠层结构以及贯穿第一叠层结构的第一沟道柱和贯穿第二叠层结构的第二沟道柱；其中，所述第一沟道柱的漏极端和所述第二沟道柱的漏极端彼此相对，共用同一组位线。该共用同一组位线的设计可以有效降低位线等结构的深度，从而降低引出所用的导电通道的长度，减小路径上的电阻，改善因路径电阻过大3D存储器件堆叠厚度受限的问题。

主权项：1.一种3D存储器件，其特征在于，包括至少一个堆叠单元，每个堆叠单元均包括第一叠层结构和位于第一叠层结构上的第二叠层结构以及贯穿第一叠层结构的第一沟道柱和贯穿第二叠层结构的第二沟道柱；其中，所述第一叠层结构与所述第二叠层结构相对设置，所述第一沟道柱的漏极端和所述第二沟道柱的漏极端彼此相对，共用同一条位线。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 3D存储器件、3D存储器件的制造方法及存储系统

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