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【发明公布】一种薄膜铌酸锂调制器_华中科技大学_202210485045.7 

申请/专利权人:华中科技大学

申请日:2022-05-06

公开(公告)日:2022-09-20

公开(公告)号:CN115079450A

主分类号:G02F1/035

分类号:G02F1/035;G02F1/03

优先权:

专利状态码:失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态:2024.03.05#发明专利申请公布后的视为撤回;2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要:本发明公开一种薄膜铌酸锂调制器,涉及光通信器件领域。该薄膜铌酸锂调制器包括光学结构和电学结构。光学结构基于X切薄膜铌酸锂材料,包括:输入波导、分束器、波导臂、合束器、输出波导;波导臂包含常规波导区和调制波导区。电学结构包括地‑信号‑信号‑地电极组成的行波电极结构,包含信号输入区、调制电极区、匹配电阻区,采用差分驱动。本发明的薄膜铌酸锂调制器利用差分驱动,提高了调制效率,减小了电压‑长度积,为调制器的小型化和高度集成化提供了解决方案。

主权项:1.一种薄膜铌酸锂调制器,其特征在于:包括光学结构和电学结构;光学结构包括:输入波导1、分束器2、波导臂3、合束器4、输出波导5;波导臂3包含第一波导臂3-1与第二波导臂3-2,第一波导臂3-1与第二波导臂3-2均包含常规波导区,第一波导臂3-1还包括第一波导臂第一调制波导区3-3、第一波导臂第二调制波导区3-5,第二波导臂3-2还包括第二波导臂第一调制波导区3-4、第二波导臂第二调制波导区3-6;电学结构包括地-信号-信号-地电极组成的行波电极结构;行波电极结构包含信号输入区6、调制电极区7、匹配电阻区8,调制电极区7包含第一调制电极区7-5和第二调制电极区7-6;第一调制电极区7-5和第二调制电极区7-6顺次连接;第一调制电极区7-5和第二调制电极区7-6都包含第一地电极7-1、第一信号电极7-2、第二信号电极7-3、第二地电极7-4;第一调制电极区7-5的第一地电极7-1与第一信号电极7-2之间、第一信号电极7-2与第二信号电极7-3之间分别通过第一波导臂第一调制波导区3-3、第二波导臂第一调制波导区3-4;第二调制电极区7-6的第一信号电极7-2与第二信号电极7-3之间、第二信号电极7-3与第二地电极7-4之间分别通过第一波导臂第二调制波导区3-5、第二波导臂第二调制波导区3-6;第二调制电极区7-6的第一信号电极7-2、第二信号电极7-3与虚地电极8-3之间分别设有第一信号电极匹配电阻8-1、第二信号电极匹配电阻8-2,第一地电极7-1与第二地电极7-4通过虚地电极8-3连接。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 华中科技大学 一种薄膜铌酸锂调制器

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