申请/专利权人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日:2022-05-11
公开(公告)日:2022-09-20
公开(公告)号:CN115083911A
主分类号:H01L21/329
分类号:H01L21/329;H01L21/311;H01L29/872
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开
摘要:本发明提供一种TMBS器件及其制备方法,其中方法包括:采用两次横向刻蚀工艺刻蚀ONO层;形成栅氧化层;形成多晶硅层;回刻部分多晶硅层;形成层间介质层以及去除层间介质层、ONO层和沟槽内的部分厚度的多晶硅层,以在沟槽内得到栅极。本申请通过横向刻蚀工艺刻蚀ONO层,并且所述ONO层的底部与所述栅氧化层衔接并覆盖所述栅氧化层的顶部,从而可以保护沟槽侧壁的栅氧化层在回刻部分多晶硅层时不会被回刻工艺误刻蚀,从而避免了栅氧化层缺失过多而导致漏电增大,提高了TMBS器件的良率。
主权项:1.一种TMBS器件的制备方法,其特征在于,包括:提供一衬底,所述衬底上形成有堆叠的外延层和ONO层,其中,所述ONO层和所述外延层中形成有沟槽;采用两次横向刻蚀工艺刻蚀所述ONO层;形成栅氧化层,所述栅氧化层覆盖所述沟槽的底壁、侧壁,其中,所述ONO层的底部与所述栅氧化层衔接并覆盖所述栅氧化层的顶部;形成多晶硅层,所述多晶硅层填充所述沟槽以及覆盖所述ONO层;回刻所述ONO层上的所述多晶硅层以及所述沟槽内的第一厚度的所述多晶硅层;形成层间介质层,所述层间介质层覆盖所述多晶硅层和所述ONO层;以及,去除所述层间介质层、所述ONO层和所述沟槽内的第二厚度的所述多晶硅层,以在所述沟槽内得到栅极。
全文数据:
权利要求:
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