申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2022-05-11

公开（公告）日：2022-09-20

公开（公告）号：CN115084009A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768

优先权：["20210512 US 17/302,794"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2022.09.20#公开

摘要：本公开涉及半导体装置的形成方法。金属氮化物扩散阻障层可被包含在钴基结构及钌基结构之间，以减少、最小化及或防止钴与钌的混合。金属氮化物扩散阻障层可包括氮化钴CoNx、氮化钌RuNx、或具有键离解能大于钴对钴的键离解能Co‑Co的另一种金属氮化物，且可因此作为钴迁移及扩散到钌中的强阻障。此外，相较于例如氮化钛TiN、氮化钨WN及氮化钽TaN的其他材料，氮化钴及氮化钌具有较低的电阻率。因此，金属氮化物扩散阻障层能够最小化钴扩散及混入钌基的内连线结构，且保持内连线结构的低接触电阻。这可提高半导体装置性能、可提高半导体装置产率、并且可进一步减小内连线结构尺寸。

主权项：1.一种半导体装置的形成方法，包括：形成一凹槽在一装置的一介电层中；其中该凹槽形成在一导电结构上方，使得该凹槽中的一底表面位于该凹槽及该导电结构之间的一界面；及其中该导电结构包括一第一材料；使用联氨对该凹槽中的该底表面进行一表面处理操作，以在该底表面上形成一扩散阻障层；其中该扩散阻障层包括该第一材料的氮化物；及沉积一层一第二材料在该凹槽中的该扩散阻障层上方，以在该导电结构上方形成一内连线结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置的形成方法

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