申请/专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司

申请日：2022-03-11

公开（公告）日：2022-09-20

公开（公告）号：CN115084312A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/0224;C25D5/02;C25D5/06;C25D5/48;C25D7/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要：本发明公开一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池组件、发电系统，其中制备方法包括步骤：S1，在待设置电极的太阳能电池的第一区域，和或第二区域进行膜层开孔；S2，在太阳能电池上生长种子层，种子层通过S1的开孔区域与第一区域，和或第二区域形成导电接触；S3，在水平电镀设备上水平传输待电镀的太阳能电池，使得种子层形成电镀体系的阴极，阳极件设置于电镀槽的电镀液中，设于电镀槽内的移动机构带动太阳能电池自太阳能电池移动机构的入口向出口方向移动，以使太阳能电池在通电及水平传输中实现电镀。本发明在不影响开膜尺寸的前提下保证了太阳能电池的电极宽度，且以水平电镀方式实现了对太阳能电池的规模化电镀。

主权项：1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，在待设置电极的太阳能电池的第一区域，和或第二区域进行膜层开孔；步骤S2，在所述太阳能电池上生长种子层，所述种子层通过步骤S1的开孔区域与所述第一区域，和或所述第二区域形成导电接触；步骤S3，水平传输待电镀的所述太阳能电池，阴极电镀刷与水平传输的所述太阳能电池上的所述种子层接触，使得所述种子层形成电镀体系的阴极，阳极件设置于电镀槽的电镀液中，设于所述电镀槽内的移动机构带动所述太阳能电池自所述太阳能电池移动机构的入口向出口方向移动，以使所述太阳能电池在通电及水平传输中实现电镀；待设置电极的所述太阳能电池通过以下步骤制备而得：步骤L1，对硅片表面进行织构化处理；步骤L2，在所述硅片的背面沉积隧穿氧化层，然后在所述隧穿氧化层上沉积具有第一极性的第一掺杂多晶硅；步骤L3，在所述第一掺杂多晶硅上沉积第一掩膜；步骤L4，保留预设在硅片背面的第一区域上的所述第一掩膜，去除预设在硅片背面的第二区域上的所述第一掩膜；步骤L5，去除沉积在所述第二区域上的所述第一掺杂多晶硅和所述隧穿氧化层后，在所述第二区域上再次制备第二掩膜；步骤L6，在所述第二区域上沉积所述隧穿氧化层，然后在所述第二区域的所述隧穿氧化层上沉积具有第二极性的第二掺杂多晶硅；步骤L7，在所述第二区域上沉积的所述第二掺杂多晶硅上制备第三掩膜；步骤L8，保留所述第二区域上的非GAP区的所述第三掩膜，去除所述第二区域上的GAP区外的所述第三掩膜；步骤L9，通过湿化学方法去除沉积在所述第一区域上的所述第二掩膜、所述第二掩膜上方的材料层以及硅片背面的所述GAP区域沉积的所述隧穿氧化层以及所述第二掺杂多晶硅；步骤L10，对所述硅片进行双面镀膜，得到待设置电极的所述太阳能电池。

全文数据：

权利要求：

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