申请/专利权人：中北大学

申请日：2022-05-13

公开（公告）日：2022-09-20

公开（公告）号：CN115084091A

主分类号：H01L23/538

分类号：H01L23/538;H01L23/488;H01L21/60;H01L21/768

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要：本发明涉及微电子封装领域，更具体而言，涉及一种SiC通孔和Pt‑Pt键合互连结构及其制备方法。具体包括：芯片、绝缘层、金属层、粘附层、凸点、密封环和基板；所述芯片上设有SiC通孔；所述绝缘层将基板上、下表面以及SiC通孔内壁覆盖；所述粘附层附着在绝缘层外；所述金属层附着在粘附层外；所述粘附层、金属层和绝缘层将SiC通孔完全填充；所述基板上设有与芯片相对应的SiC通孔；所述凸点溅射在芯片和基板的SiC通孔处；所述密封环溅射在凸点外侧，密封芯片和基板形成无氧密封腔；所述芯片采用耐高温、抗氧化的SiC材料。使用SiC材料解决了传统的Si材料在高温环境下失效的问题，使该封装结构能在1200℃甚至更高的环境温度下使用。是一种有效的耐高温封装方法。

主权项：1.一种SiC通孔和Pt-Pt键合互连结构，其特征在于，具体包括：芯片1、绝缘层2、金属层3、粘附层4、凸点7、密封环8和基板9；所述芯片1上设有SiC通孔6；所述绝缘层2将基板9上、下表面以及SiC通孔6内壁覆盖；所述粘附层4附着在绝缘层2外；所述金属层3附着在粘附层4外；所述粘附层4、金属层3和绝缘层2将SiC通孔6完全填充；所述基板9上设有与芯片1相对应的SiC通孔6；所述凸点7溅射在芯片1和基板9的SiC通孔6处；所述密封环8溅射在凸点7外侧，密封芯片1和基板9形成无氧密封腔10。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中北大学 一种SiC通孔和Pt-Pt键合互连结构及其制备方法

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