【发明公布】改善晶圆翘曲的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202210541427.7 

申请/专利权人:华虹半导体(无锡)有限公司

申请日:2022-05-17

公开(公告)日:2022-09-20

公开(公告)号:CN115084011A

主分类号:H01L21/768

分类号:H01L21/768;H01L29/40;H01L23/48

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2022.09.20#公开

摘要:本发明提供一种改善晶圆翘曲的方法,所述方法包括:提供一具有定位标记的晶圆,所述晶圆包括多个半导体器件结构,其中,所述定位标记的开口标定方向为第一方向,与所述第一方向垂直的方向为第二方向;于所述半导体器件结构上方形成至少一个接触孔场板,其中,所述接触孔场板呈条形并沿着所述第二方向延伸。通过本发明解决了现有的晶圆特定方向上的翘曲度因接触孔场板的应力作用而增加幅度较大的问题。

主权项:1.一种改善晶圆翘曲的方法,其特征在于,所述方法包括:提供一具有定位标记的晶圆,所述晶圆包括多个半导体器件结构,其中,所述定位标记的开口标定方向为第一方向,与所述第一方向垂直的方向为第二方向;于所述半导体器件结构上方形成至少一个接触孔场板,其中,所述接触孔场板呈条形并沿着所述第二方向延伸。

全文数据:

权利要求:

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