申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2022-05-31

公开（公告）日：2022-09-20

公开（公告）号：CN115084160A

主分类号：H01L27/11582

分类号：H01L27/11582;H01L27/11568

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要：本申请提供了一种三维存储器及其制备方法、存储系统、电子设备。三维存储器的制备方法包括：在衬底上交替叠置绝缘层和牺牲层形成叠层结构，其中所述衬底沿所述叠置的方向依次包括靠近叠层结构的第一部分和远离叠层结构的第二部分；形成贯穿所述叠层结构并延伸至所述衬底的第一部分的沟道结构；去除所述衬底的第二部分；以及去除所述衬底的所述第一部分，并保留所述沟道结构位于所述第一部分的第一沟道部分。

主权项：1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上交替叠置绝缘层和牺牲层形成叠层结构，其中所述衬底沿所述叠置的方向依次包括靠近所述叠层结构的第一部分和远离所述叠层结构的第二部分；形成贯穿所述叠层结构并延伸至所述第一部分的沟道结构；去除所述第二部分；以及去除所述第一部分，并保留所述沟道结构位于所述第一部分的第一沟道部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维存储器及其制备方法、存储系统、电子设备

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