申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2022-06-08

公开（公告）日：2022-09-20

公开（公告）号：CN115084161A

主分类号：H01L27/11582

分类号：H01L27/11582;H01L27/1157

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要：本申请提供了一种三维存储器及其制作方法、存储系统、电子器件，该方法包括：提供初始结构，初始结构包括沟道孔结构以及依次叠置的衬底、刻蚀停止结构以及层叠结构，沟道孔结构贯穿层叠结构、刻蚀停止结构至衬底中，沟道孔结构包括沟道孔、位于沟道孔内的外延层、预备多层膜结构以及沟道层，外延层的材料包括多晶硅，刻蚀停止结构的材料不包括多晶硅；依次去除衬底、外延层、刻蚀停止结构以及部分的预备多层膜结构，至少使得部分的沟道层裸露，剩余的预备多层膜结构形成多层膜结构；在裸露的沟道层的表面上、裸露的层叠结构的表面上以及多层膜结构的表面上形成源极层。本申请解决现有技术中ONOP结构难以生长到沟道孔底部的问题。

主权项：1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供初始结构，所述初始结构包括沟道孔结构以及依次叠置的衬底、刻蚀停止结构以及层叠结构，所述层叠结构包括交替层叠的绝缘介质层以及栅极层，所述沟道孔结构贯穿所述层叠结构、所述刻蚀停止结构至所述衬底中，所述沟道孔结构包括沟道孔、位于所述沟道孔内的外延层、预备多层膜结构以及沟道层，所述外延层位于所述沟道孔的靠近所述衬底的端部，且所述外延层与所述衬底以及所述刻蚀停止结构分别接触，所述预备多层膜结构位于所述沟道孔的侧壁上以及所述外延层的靠近所述刻蚀停止结构的表面上，所述沟道层位于所述预备多层膜结构的远离所述沟道孔的侧壁的表面上，其中，所述外延层的材料包括多晶硅，所述刻蚀停止结构的材料不包括多晶硅；依次去除所述衬底、所述外延层、所述刻蚀停止结构以及部分的所述预备多层膜结构，至少使得部分的所述沟道层裸露，剩余的所述预备多层膜结构形成多层膜结构；在裸露的所述沟道层的表面上、裸露的所述层叠结构的表面上以及所述多层膜结构的表面上形成源极层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维存储器及其制作方法、存储系统、电子器件

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