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【发明公布】纳米硅及其制备方法和应用_江苏鑫华半导体科技股份有限公司_202210644393.4 

申请/专利权人:江苏鑫华半导体科技股份有限公司

申请日:2022-06-08

公开(公告)日:2022-09-20

公开(公告)号:CN115084494A

主分类号:H01M4/38

分类号:H01M4/38;B82Y40/00;B82Y30/00

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要:本发明公开了一种纳米硅及其制备方法和应用,其中,该纳米硅包括:内核和保护层,保护层包覆在内核的表面上,内核包括纳米硅颗粒,保护层包括有机硅烷形成的薄膜。该纳米硅具有良好的抗氧化性、抗腐蚀性且粒径分布均匀。

主权项:1.一种纳米硅,其特征在于,包括:内核,所述内核包括纳米硅颗粒;保护层,所述保护层包覆在所述内核的表面上,并且所述保护层包括有机硅烷形成的薄膜。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 江苏鑫华半导体科技股份有限公司 纳米硅及其制备方法和应用

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