申请/专利权人:东莞铭普光磁股份有限公司
申请日:2022-06-15
公开(公告)日:2022-09-20
公开(公告)号:CN115079947A
主分类号:G06F3/06
分类号:G06F3/06
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开
摘要:本发明涉及光通信技术领域,公开了一种光模块的实时响应方法及光模块、存储介质。实时响应方法,包括:在接收到Flash擦写指令时,MCU先从Flash内读取必要响应程序信息,将必要响应程序信息存储至SRAM和或EEPROM,再针对Flash执行擦写操作;在针对Flash执行擦写操作的过程中,MCU从SRAM和或EEPROM读取必要响应程序信息,以实现内部操作和或对外部通讯事件响应。本发明实施例通过将必要响应程序信息预先存储于SRAM和或EEPROM的方式,克服了MCU在长时间等待Flash擦写操作期间无法实时响应外部通讯事件或者执行内部其他操作的缺陷,大大提升了光模块的实时响应性能。
主权项:1.一种光模块的实时响应方法,其特征在于,包括:在接收到Flash擦写指令时,MCU先从Flash内读取必要响应程序信息,将所述必要响应程序信息存储至静态随机存取存储器SRAM和或电可擦编程只读存储器EEPROM,再针对所述Flash执行擦写操作;在针对Flash执行擦写操作的过程中,所述MCU从SRAM和或EEPROM读取必要响应程序信息,以实现内部操作和或对外部通讯事件响应。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 东莞铭普光磁股份有限公司 一种光模块的实时响应方法及光模块、存储介质
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。