申请/专利权人：华南师范大学

申请日：2022-06-24

公开（公告）日：2022-09-20

公开（公告）号：CN115084280A

主分类号：H01L29/872

分类号：H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要：本发明涉及一种极化结与极化掺杂结构的双沟道SBD器件与制备方法，其包括层叠于基底上由沟道层插入层势垒层组成的双沟道结构，位于沟道结构上的极化结，极化结表面设置有欧姆接触阳极，分别与第一沟道结构的侧壁接触的肖特基接触阳极和欧姆接触阴极，肖特基接触阳极延伸至欧姆接触阳极表面，第二势垒层为极化掺杂AlGaN层，其Al组分沿基底指向沟道层的方向上逐渐增大，极化结由极化GaN层和p型极化掺杂AlGaN帽层组成，AlGaN帽层的Al组分沿基底指向沟道层的方向上逐渐减小，该双沟道SBD器件具备开启电压低、导通电阻低和击穿电压高的特性，适用于高温高压环境下工作。

主权项：1.一种极化结与极化掺杂结构的双沟道SBD器件，其特征在于，其包括，基底，依次层叠于基底上的缓冲层和第一沟道层，位于第一沟道层上的半导体层叠结构，位于所述半导体层叠结构表面的极化结，位于所述极化结表面的欧姆接触阳极，分别位于第一沟道层上与半导体层叠结构两侧面接触的肖特基接触阳极和欧姆接触阴极，所述肖特基接触阳极延伸至所述欧姆接触阳极的表面；所述半导体层叠结构由依次层叠于第一沟道层上的第一插入层、第一势垒层、第二沟道层、第二插入层和第二势垒层组成，所述第二势垒层选用极化掺杂AlGaN层，所述极化掺杂AlGaN层的Al组分沿基底指向沟道层的方向上逐渐增大至x，其中0.3≤x≤0.6；所述极化结由依次层叠的极化GaN层和p型极化掺杂AlGaN帽层组成，所述AlGaN帽层的Al组分沿基底指向沟道层的方向上由y逐渐减小，其中0.3≤y≤0.6。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华南师范大学 一种极化结与极化掺杂结构的双沟道SBD器件与制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD