申请/专利权人：华中科技大学;湖北江城实验室

申请日：2022-06-30

公开（公告）日：2022-09-20

公开（公告）号：CN115084370A

主分类号：H01L45/00

分类号：H01L45/00;C30B23/02;C30B29/46

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要：本发明提供一种相变薄膜、薄膜制备方法及相变存储器，相变薄膜的化学组成符合化学通式TiTe2xSb2Te31‑x，其中，x为TiTe2的百分比，且0x0.6。该相变薄膜与纯Sb2Te3相变薄膜相比，非晶稳定性明显提升，晶粒尺寸明显减小。随着TiTe2掺杂比例的增加，非晶稳定性进一步提升，晶粒尺寸进一步减小。将该相变薄膜应用于相变存储器中，可以在不牺牲Sb2Te3相变存储器SET速度的前提下提升非晶稳定性，甚至能进一步提高其SET速度。该相变存储器与纯Sb2Te3相变存储器相比，RESET功耗明显降低且能有效抑制电阻漂移。随着TiTe2掺杂比例的增加，RESET功耗进一步降低，电阻漂移系数进一步减小。

主权项：1.一种相变薄膜，其特征在于，所述相变薄膜的化学通式为：TiTe2xSb2Te31-x，0x0.6。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华中科技大学;湖北江城实验室 一种相变薄膜、薄膜制备方法及相变存储器

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD