申请/专利权人：郑州大学

申请日：2022-07-01

公开（公告）日：2022-09-20

公开（公告）号：CN115074667A

主分类号：C23C14/08

分类号：C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.06.23#授权;2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要：本发明涉及薄膜材料制备技术领域，为了解决现有的制备SrHfS3薄膜的方法存在制备所得的SrHfS3薄膜结晶性和稳定性不佳的问题，公开了一种高迁移率p型SrHfS3薄膜及其制备方法，所述一种高迁移率p型SrHfS3薄膜的制备方法，包括以下步骤：基于SrHfO3靶材通过磁控溅射沉积获得前驱体薄膜；对前驱体薄膜进行硫化处理得到SrHfS3薄膜。本发明成本低，操作简单；所获得SrHfS3薄膜具有良好结晶性、稳定性。SrHfS3特殊的畸变钙钛矿结构赋予了该材料较高的迁移率、良好的光吸收特性，此外考虑到该材料为环境友好的无铅钙钛矿材料，更有希望应用于新型光电器件。

主权项：1.一种高迁移率p型SrHfS3薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.基于SrHfO3靶材通过磁控溅射沉积获得前驱体薄膜；S2.对前驱体薄膜进行硫化处理得到SrHfS3薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 郑州大学 一种高迁移率p型SrHfS₃薄膜及其制备方法

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