申请/专利权人：恒泰柯半导体(上海)有限公司

申请日：2022-07-14

公开（公告）日：2022-09-20

公开（公告）号：CN115084244A

主分类号：H01L29/423

分类号：H01L29/423;H01L29/66;H01L29/78

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.08.29#授权;2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要：本发明涉及一种防翘曲深沟道半导体器件及其制备方法，其中，深沟道半导体器件包括：衬底；外延层，位于所述衬底上表面；若干深沟槽，位于所述外延层中，且表面设置有氧化层，若干所述深沟槽中至少有一个深沟槽内设置有源极多晶硅和栅极多晶硅，所述设置有源极多晶硅和栅极多晶硅的深沟槽相邻的深沟槽内设置有辅助栅极，所述辅助栅极内部留有一空腔，所述空腔能够在所述氧化层的应力作用下向内收缩。本发明中通过带有空腔的辅助栅极能够抵消部分造成翘曲的应力，有效防止晶圆翘曲的产生，解决了深沟槽类产品批量生产过程中的瓶颈问题。

主权项：1.一种防翘曲深沟道半导体器件，包括：衬底；外延层，位于所述衬底上表面；若干深沟槽，位于所述外延层中，且表面设置有氧化层，若干所述深沟槽中至少有一个深沟槽内设置有源极多晶硅和栅极多晶硅，其特征在于，所述设置有源极多晶硅和栅极多晶硅的深沟槽相邻的深沟槽内设置有辅助栅极，所述辅助栅极内部留有一空腔，所述空腔能够在所述氧化层的应力作用下向内收缩。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 恒泰柯半导体(上海)有限公司 一种防翘曲深沟道半导体器件及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD