申请/专利权人:松下控股株式会社
申请日:2019-09-09
公开(公告)日:2022-09-20
公开(公告)号:CN111029434B
主分类号:H01L31/0747
分类号:H01L31/0747;H01L31/20
优先权:["20181009 JP 2018-191156"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2022.09.20#授权;2020.05.12#实质审查的生效;2020.04.17#公开
摘要:能够提高发电效率并抑制半导体衬底与本征半导体层剥离。太阳能单电池10包括:具有第1主面和第2主面的n型硅衬底20;设置于第1主面的n型第1半导体层22n;设置于第1主面与第1半导体层22n之间的第1本征半导体层22i;设置于第2主面的p型第2半导体层21p;和设置于第2主面与第2半导体层21p之间的第2本征半导体层21i。硅衬底20与第2本征半导体层21i的界面氧浓度比硅衬底20与第1本征半导体层22i的界面氧浓度低,第2本征半导体层22i与第2半导体层21p的界面氧浓度比第1本征半导体层22i与第1半导体层22n的界面氧浓度高。
主权项:1.一种太阳能单电池,其特征在于,包括:半导体衬底,其具有第1主面和背对所述第1主面的第2主面,由第1导电型的晶体硅形成;第1半导体层,其设置在所述第1主面上,由第1导电型的非晶硅类薄膜形成;第1本征半导体层,其设置在所述第1主面与所述第1半导体层之间,由本征的非晶硅类薄膜形成;第2半导体层,其设置在所述第2主面上,由第2导电型的非晶硅类薄膜形成;和第2本征半导体层,其设置在所述第2主面与所述第2半导体层之间,由本征的非晶硅类薄膜形成,所述半导体衬底与所述第2本征半导体层的界面处的第1氧浓度,比所述半导体衬底与所述第1本征半导体层的界面处的第2氧浓度低,所述第2本征半导体层与所述第2半导体层的界面处的第3氧浓度,比所述第1本征半导体层与所述第1半导体层的界面处的第4氧浓度高。
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