申请/专利权人：业成科技(成都)有限公司;业成光电(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司

申请日：2020-05-20

公开（公告）日：2022-09-20

公开（公告）号：CN111554633B

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.09.20#授权;2020.09.11#实质审查的生效;2020.08.18#公开

摘要：本发明一方面提供一种导电层图案化的方法。该方法包括：于一基材的表面形成导电层，所述导电层的接触角大于等于50度小于等于90度；于所述导电层远离所述基材的表面上形成图案化的光阻层；以及利用水性蚀刻液蚀刻所述导电层，以去除所述导电层未被所述图案化的光阻层覆盖的部分，进而得到图案化的导电层。本发明另一方面还提供一种导电结构。

主权项：1.一种导电层图案化的方法，其特征在于，包括以下步骤：于一基材的表面形成导电层，所述导电层包括一亲水性导电膜及一弱亲水性导电膜；于所述基材的表面形成所述亲水性导电膜及于所述亲水性导电膜远离所述基材的表面形成弱亲水性导电膜；所述弱亲水性导电膜的接触角大于等于50度小于等于90度；于所述导电层远离所述基材的表面上形成图案化的光阻层；所述图案化的光阻层形成于所述弱亲水性导电膜远离所述基材的表面；以及利用水性蚀刻液蚀刻所述导电层，以去除所述导电层未被所述图案化的光阻层覆盖的部分，进而得到图案化的导电层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 业成科技(成都)有限公司;业成光电(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司 导电层图案化的方法及导电结构

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD