【发明授权】光刻方法_中国科学院光电技术研究所_202111547641.5 

申请/专利权人:中国科学院光电技术研究所

申请日:2021-12-16

公开(公告)日:2022-09-20

公开(公告)号:CN114217510B

主分类号:G03F7/20

分类号:G03F7/20;G03F7/09

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.09.20#授权;2022.04.08#实质审查的生效;2022.03.22#公开

摘要:本公开提供一种光刻方法,包括:在光刻基底表面依次制备叠设的功能膜层、反射式辅助成像膜层及第一光刻胶层。对第一光刻胶层进行光刻,得到第一光刻结构。以第一光刻结构为掩蔽层对反射式辅助成像膜层进行刻蚀,以将第一光刻结构的图形传递到反射式辅助成像膜层上。在反射式辅助成像膜层的图形上依次制备叠设的第二光刻胶层及透射式辅助成像膜层。以反射式辅助成像膜层的图形为掩模进行表面等离子体光刻,去除透射式辅助成像膜层后对第二光刻胶层进行显影,得到第二光刻结构。以第二光刻结构为掩蔽层对功能膜层进行刻蚀,以将第二光刻结构的图形传递至功能膜层,得到第三光刻结构。本公开的方法能够提升光刻的分辨力。

主权项:1.一种光刻方法,包括:在光刻基底1表面依次制备叠设的功能膜层2、反射式辅助成像膜层3及第一光刻胶层4;对所述第一光刻胶层4进行光刻,得到第一光刻结构;以所述第一光刻结构为掩蔽层对所述反射式辅助成像膜层3进行刻蚀,以将所述第一光刻结构的图形传递到所述反射式辅助成像膜层3上;在所述反射式辅助成像膜层3的图形上依次制备叠设的第二光刻胶层5及透射式辅助成像膜层6;以所述反射式辅助成像膜层3的图形为掩模进行表面等离子体光刻,去除所述透射式辅助成像膜层6后对所述第二光刻胶层5进行显影,得到第二光刻结构;以及以所述第二光刻结构为掩蔽层对所述功能膜层2进行刻蚀,以将所述第二光刻结构的图形传递至所述功能膜层2,得到第三光刻结构。

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