申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2022-06-07

公开（公告）日：2022-09-20

公开（公告）号：CN217468388U

主分类号：H01L21/8234

分类号：H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/768;H01L21/762

优先权：["20210609 US 63/208,702","20210625 US 63/215,009","20220114 US 17/576,909"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.09.20#授权

摘要：一种集成电路装置包括一层间介电质ILD、包埋于该层间介电质中的一第一塔结构以及包括该层间介电质的围绕该第一塔结构延伸的一部分的一第一环形区。该第一塔结构包括在多个金属层中的多个第一导电图案，以及在所述多个金属层之间的沿着该集成电路装置的一厚度方向的多个第一连通柱。所述多个第一导电图案及所述多个第一连通柱彼此耦接以形成该第一塔结构。所述多个第一导电图案由该第一环形区限制，而不延伸超出该第一环形区。该第一塔结构为一虚设塔结构。

主权项：1.一种集成电路装置，其特征在于，包含：一层间介电质；一第一塔结构，包埋于该层间介电质中且包含：多个金属层中的多个第一导电图案；及多个第一连通柱，沿着该集成电路装置的一厚度方向位于所述多个金属层之间，其中所述多个第一导电图案与所述多个第一连通柱彼此耦接以形成该第一塔结构；及一第一环形区，包含围绕该第一塔结构延伸的该层间介电质的一部分，其中所述多个第一导电图案由该第一环形区限制，而不延伸超出该第一环形区，且该第一塔结构为一虚设塔结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 集成电路装置

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