申请/专利权人：合肥国家实验室;中国科学技术大学

申请日：2022-03-24

公开（公告）日：2022-09-23

公开（公告）号：CN115096456A

主分类号：G01J11/00

分类号：G01J11/00;G01J1/44;G01J1/46

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.14#实质审查的生效;2022.09.23#公开

摘要：本发明提供一种半导体紫外单光子探测器及控制方法，涉及单光子探测技术领域。该半导体紫外单光子探测器包括碳化硅单光子雪崩光电二极管、读出电路、信号处理模块、温度控制模块、偏压模块和使能模块。其中，读出电路用于对碳化硅单光子雪崩光电二极管进行被动淬灭以形成负脉冲雪崩信号；信号处理模块用于将负脉冲雪崩信号滤波、放大、甄别，转化为数字信号输出；温度控制模块用于为读出电路提供稳定的温度；偏压模块用于为读出电路提供基于内外温差修正的直流偏置电压；使能模块用于屏蔽外界强光信号和设置死时间。本发明的半导体紫外单光子探测器具有体积小、易集成、性能稳定、工作条件温和、易于阵列拓展等优势。

主权项：1.一种半导体紫外单光子探测器，其特征在于，包括：碳化硅单光子雪崩光电二极管；读出电路，用于对所述碳化硅单光子雪崩光电二极管进行被动淬灭以形成负脉冲雪崩信号；信号处理模块，用于将所述负脉冲雪崩信号滤波、放大、甄别，转化为数字信号输出；温度控制模块和偏压模块，用于分别为所述读出电路提供稳定的温度和基于内外温差修正的直流偏置电压；使能模块，用于屏蔽外界强光信号和设置死时间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥国家实验室;中国科学技术大学 半导体紫外单光子探测器及控制方法

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