申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-01-28

公开（公告）日：2022-09-23

公开（公告）号：CN115101526A

主分类号：H01L27/11524

分类号：H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11582

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.14#实质审查的生效;2022.09.23#公开

摘要：本公开内容的各方面提供了一种半导体器件。该半导体器件包括第一层堆叠和第二层堆叠，其中第一层堆叠包括源极连接层，第二层堆叠包括栅极层和绝缘层。在第一层堆叠上交替地堆叠栅极层和绝缘层。此外，该半导体器件还包括：在第一层堆叠和第二层堆叠中沿着第一方向形成的沟道结构以及栅极线切割结构，其中该栅极线切割结构具有切穿第一层堆叠和第二层堆叠的沟槽。该沟槽至少填充有绝缘层。该半导体器件包括具有第一部分的支撑结构，该第一部分设置在栅极线切割结构的一侧，从栅极线切割结构的该侧进行延伸并且在第二层堆叠之下。

主权项：1.一种半导体器件，包括：包括源极连接层的层堆叠，所述层堆叠是在衬底上沿着与所述衬底的主表面垂直的第一方向堆叠的；栅极线切割结构，其具有切穿所述层堆叠的沟槽；以及具有第一部分的支撑结构，所述第一部分被设置在所述栅极线切割结构的侧面，所述第一部分的至少一部分位于所述源极连接层之上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 垂直存储器件

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