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【发明公布】一种钴酸镍/氧化镁/钒酸铋光阳极及其制备方法_长安大学_202210666395.3 

申请/专利权人:长安大学

申请日:2022-06-14

公开(公告)日:2022-09-23

公开(公告)号:CN115094459A

主分类号:C25B11/053

分类号:C25B11/053;C25B11/057;C25B11/091;C25B1/04;H01M14/00

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.05.30#授权;2022.10.14#实质审查的生效;2022.09.23#公开

摘要:本发明公开了一种NiCo2O4MgOBiVO4光阳极及其制备方法,其制备方法包括以下步骤:在基底材料上沉积BiVO4薄膜,然后通过电泳沉积法沉积MgO薄膜,依次经清洗、干燥和煅烧,制得MgOBiVO4电极;旋涂NiCo2O4前驱体溶液,干燥,再于250‑350℃条件下,煅烧3.5‑4.5h,制得NiCo2O4MgOBiVO4光阳极。本发明制得的NiCo2O4MgOBiVO4光阳极在1.23Vvs.RHE时,产生的最高光电流密度为4.6mA·cm‑2,约为NiCo2O4BiVO4光阳极的1.5倍、MgOBiVO4光阳极的1.7倍和BiVO4光阳极的2.8倍。

主权项:1.一种NiCo2O4MgOBiVO4光阳极的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1在基底材料上沉积BiVO4薄膜,制得BiVO4电极;2在步骤1制得的BiVO4电极的BiVO4薄膜上,通过电泳沉积法沉积MgO薄膜,依次经清洗、干燥和煅烧,制得MgOBiVO4电极;3在步骤2制得的MgOBiVO4电极上,旋涂NiCo2O4前驱体溶液,干燥,于250-350℃条件下,煅烧3.5-4.5h,制得NiCo2O4MgOBiVO4光阳极。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 长安大学 一种钴酸镍/氧化镁/钒酸铋光阳极及其制备方法

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