申请/专利权人：山西职业技术学院

申请日：2022-06-23

公开（公告）日：2022-09-23

公开（公告）号：CN115101108A

主分类号：G11C16/04

分类号：G11C16/04;G11C16/10;G11C16/26

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的撤回

法律状态：2022.12.30#发明专利申请公布后的撤回;2022.10.14#实质审查的生效;2022.09.23#公开

摘要：本发明公开了一种基于FGMOS管扩容的忆阻器存储阵列及工作方法，充分利用了FGMOS的可编程特点，在双元输出的情况下，不仅可以实现忆阻器存储阵列信号存储和读取，而且通过为每个存储单元的输出信号赋予存储标记信号，通过FGMOS管输出不同的存储标记信号，结合已有的存储信号值，可以数倍地扩充存储阵列的信号存储范围；而且在存储外围工作电路的设计方面，兼顾了忆阻器的性能特点，使用者可以根据是否需要划分信号进行对FGMOS进行状态编程。

主权项：1.一种基于FGMOS管扩容的忆阻器存储阵列，其特征在于，单个忆阻器存储单元包括依次串联于Vs和Vd两端的编码Cod、电阻R1和忆阻器m；所述电阻R1和忆阻器m间通过二极管VD1输出存储信号值；n位地址选择器的位信号输入端通过二极管VD2连接至编码Cod和电阻R1之间；采用基于FGMOS管扩容的方法对忆阻器存储阵列的输出存储信号值进行标记，进而实现扩容；基于FGMOS管的扩容单元包括依次串联的电阻R2和FGMOS管T1；电阻R2另一端连接至n位地址选择器的位信号输入端，FGMOS管T1另一端连接至忆阻器m与Vd之间；电阻R2与FGMOS管T1间通过二极管VD3输出存储信号标记；存储外围工作电路Mem-RegSeveralvoltage每个输出端连接至FGMOS管T1的栅极，进行栅极控制；每一行FGMOS管由同一个存储外围工作电路进行栅极控制；同一列忆阻器存储单元和扩容单元共用一个位信号输入端。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山西职业技术学院 一种基于FGMOS管扩容的忆阻器存储阵列及工作方法

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