申请/专利权人：厦门中能微电子有限公司

申请日：2022-06-27

公开（公告）日：2022-09-23

公开（公告）号：CN115101415A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.14#实质审查的生效;2022.09.23#公开

摘要：本发明公开了一种回流工艺优化的功率器件制造方法及功率器件，包括：在N‑型外延层进行场氧生长，在N‑型外延层形成分压环，分压环退火；对有源区进行光刻、刻蚀，JFET杂质注入形成JFET掺杂区；在JFET掺杂区上进行栅氧生长，在栅氧上淀积多晶硅栅并对多晶硅栅进行掺杂，对多晶硅栅进行光刻、刻蚀；向有源区注入P‑BODY形成P‑BODY层，在P‑BODY层注入P+离子，向有源区进行光刻并注入N+离子；进行绝缘介质层淀积，采用H2和O2的混合气体进行回流，进行引线孔光刻、刻蚀；对正面进行金属溅射，对正面金属进行光刻、刻蚀，进行金属一次合金处理；对背面进行减薄，进行金属二次合金处理，背面金属蒸发。本发明制造的功率器件的阈值电压VTH全程可靠，稳定性得到显著改善。

主权项：1.一种回流工艺优化的功率器件制造方法，其特征在于，包括：在N-型外延层进行场氧生长，通过光刻、刻蚀和P型离子注入，在N-型外延层形成分压环，分压环退火；对有源区进行光刻、刻蚀，并进行JFET杂质注入形成JFET掺杂区，JFET掺杂区退火；在JFET掺杂区上进行栅氧生长，在栅氧上淀积多晶硅栅并对多晶硅栅进行掺杂，对多晶硅栅进行光刻、刻蚀；向有源区注入P-BODY形成P-BODY层，在P-BODY层注入P+离子，P-BODY层退火，向有源区进行光刻并注入N+离子，去除光刻胶；进行绝缘介质层淀积，采用H2和O2的混合气体进行回流，进行引线孔光刻、刻蚀；对正面进行金属溅射，对正面金属进行光刻、刻蚀，进行金属一次合金处理；对背面进行减薄，背面N+离子注入，进行金属二次合金处理，背面金属蒸发。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门中能微电子有限公司 一种回流工艺优化的功率器件制造方法及功率器件

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