申请/专利权人:上海华力集成电路制造有限公司
申请日:2022-06-28
公开(公告)日:2022-09-23
公开(公告)号:CN115101417A
主分类号:H01L21/336
分类号:H01L21/336;H01L21/3213
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2022.10.14#实质审查的生效;2022.09.23#公开
摘要:本发明提供一种去除伪栅多晶硅表面硬质掩膜层的方法,提供衬底,衬底上形成有均包括不同密度半导体结构的第一、二区域,半导体结构的最大高度为第一厚度;在衬底上形成覆盖第一、二区域的光刻胶层,其中二区域上的光刻胶层的厚度小于第一区域,且两者的高度差为第二厚度;刻蚀光刻胶层,使得第一、二区域上的光刻胶层的厚度差为小于第一厚度的第三厚度;在光刻胶层上继续旋涂光刻胶,使得第一、二区域上的光刻胶层的厚度差减少至小于第二厚度的第四厚度。本发明在通过光阻的半刻蚀技术降低各种图形结构之间的高度差并利用光阻再次涂布技术提高有源区光阻的的厚度,从而避免后续工艺过程中产生的缺陷问题。
主权项:1.一种去除伪栅多晶硅表面硬质掩膜层的方法,其特征在于,至少包括:步骤一、提供衬底,所述衬底上形成有均包括不同密度半导体结构的第一、二区域,所述半导体结构的最大高度为第一厚度;步骤二、在所述衬底上形成覆盖所述第一、二区域的光刻胶层,其中所述二区域上的所述光刻胶层的厚度小于所述第一区域,且两者的高度差为第二厚度;步骤三、刻蚀所述光刻胶层,使得所述第一、二区域上的光刻胶层的厚度差为小于所述第一厚度的第三厚度;步骤四、在所述光刻胶层上继续旋涂光刻胶,使得所述第一、二区域上的光刻胶层的厚度差减少至小于第二厚度的第四厚度;步骤五、回刻所述光刻胶层及其下方所述第一、二区域上的所述半导体结构,使得所述第一、二区域上的所述半导体结构被刻蚀至所需高度。
全文数据:
权利要求:
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