申请/专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司

申请日：2022-06-30

公开（公告）日：2022-09-23

公开（公告）号：CN115101522A

主分类号：H01L27/02

分类号：H01L27/02;H01L29/06;H01L29/36

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.14#实质审查的生效;2022.09.23#公开

摘要：本申请实施例提供的一种单向高电压瞬态电压抑制保护器件的制备工艺及保护器件，本申请通过采用超低电阻率衬底在预设温度下在外延层上表面生长氧化层过程中，衬底中的掺杂杂质向上方外延层扩散，并通过第一次低剂量注入形成第一注入区，第一次较低剂量注入与较高电阻率外延形成缓变结，通过特定温度推进后精准控制高电阻率外延层厚度，并利用穿通效应形成较高工作电压，在第一注入区中进行第二次高剂量注入形成第二注入区以便形成欧姆接触，因为第二注入区的掺杂杂质在外延层中扩散速度比第一注入区的掺杂杂质在外延层中小，因此可以保证形成欧姆接触的同时不影响器件工作电压，本申请可以精准控制高电阻率外延层厚度和PN结耗尽区宽度，器件开启后第一次较低剂量注入与较高电阻率外延层PN耗尽区两侧电阻率较低，从而达到大电流工作条件下降低器件动态阻抗，实现更好的防护效果。

主权项：1.一种单向高电压瞬态电压抑制保护器件的制备工艺，其特征在于，所述工艺包括：获取一衬底，所述衬底上表面上设置有外延层，所述外延层和衬底的掺杂类型相同，且均为第一掺杂类型；在预设温度下，在所述外延层远离衬底的表面生长氧化层直到衬底中的掺杂杂质扩散到外延层至预设深度；对所述氧化层进行刻蚀以便形成开口；通过所述开口进行第一次离子注入以在所述外延层中形成第一注入区；进行第二次离子注入以便所述第一注入区中形成第二注入区，其中，所述第二注入区和第一注入区的掺杂类型相同，且均为第二掺杂类型，所述第二注入区的掺杂浓度大于第一注入区的掺杂浓度；在所述开口中填充金属以便引出阴极，所述金属与所述第二注入区之间形成欧姆接触；在所述衬底远离外延层表面形成一层金属层以便引出阳极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海韦尔半导体股份有限公司 一种单向高电压瞬态电压抑制保护器件的制备工艺及保护器件

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