申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2022-06-29

公开（公告）日：2022-09-23

公开（公告）号：CN115101409A

主分类号：H01L21/28

分类号：H01L21/28;H01L27/11521

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.14#实质审查的生效;2022.09.23#公开

摘要：本发明提供了一种闪存器件及其制造方法，在硬掩膜层的开口侧壁上形成覆盖部分控制栅材料层的第一侧墙之后，刻蚀所述第一侧墙，使所述第一侧墙的顶端低于所述硬掩膜层的表面；在去除所述开口暴露的所述控制栅材料层，并在所述开口的侧壁及底部形成第二侧墙之后，刻蚀所述第二侧墙，使所述第二侧墙的顶端低于所述第一侧墙的顶端；以及，在所述开口内形成高于所述第二侧墙的字线。本发明通过调整第一侧墙和第二侧墙的高度减少浮栅材料层在第二侧墙的干法刻蚀工艺中受到的损伤，通过制备高于所述第二侧墙的字线避免第二侧墙暴露，从而防止第二侧墙及闪存器件的浮栅尖端在后续湿法刻蚀工艺中受到损伤，改善闪存器件的性能，避免闪存器件失效。

主权项：1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底的表面依次形成有浮栅材料层、控制栅材料层和硬掩膜层，所述硬掩膜层上形成有暴露所述控制栅材料层的开口，所述开口的侧壁上形成有第一侧墙；刻蚀所述第一侧墙，使所述第一侧墙的顶端低于所述硬掩膜层的表面；去除所述开口暴露的所述控制栅材料层，并在所述开口的侧壁形成第二侧墙；刻蚀所述第二侧墙，使所述第二侧墙的顶端低于所述第一侧墙的顶端，保留的第二侧墙至少覆盖所述控制栅材料层的侧壁；以及，去除所述开口底部的所述浮栅材料层，并在所述开口内形成字线，所述字线的表面高于所述第二侧墙的顶端。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 闪存器件及其制造方法

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