申请/专利权人：成都泰美克晶体技术有限公司

申请日：2022-07-08

公开（公告）日：2022-09-23

公开（公告）号：CN115101660A

主分类号：H01L41/23

分类号：H01L41/23;H01L41/113;H01L41/053

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.14#实质审查的生效;2022.09.23#公开

摘要：本发明涉及传感器技术领域，尤其涉及一种压电石英传感器的封装方法及压电石英传感器，该方法包括：形成压电传感器晶片，包括位于压电传感器晶片正面的第一引脚区域和背面的第二引脚区域，第一、第二引脚区域呈对角方向设置；提供第一石英晶片，在第一石英晶片上对应第一引脚区域的位置形成第一缺口，在对应第二引脚区域的位置形成第二缺口，形成第一封装侧面部件；提供第二石英晶片，在第二石英晶片上对应第二引脚区域的位置形成第三缺口，在对应第一引脚区域的位置形成第四缺口，形成第二封装侧面部件；将第一封装侧面部件与压电传感器晶片正面以及将第二封装侧面部件与压电传感器晶片背面分别键合，采用键合的方式，提高了器件的性能。

主权项：1.一种压电石英传感器的封装方法，其特征在于，包括：形成压电传感器晶片，所述压电传感器晶片呈方形，包括位于压电传感器晶片正面的第一引脚区域和压电传感器晶片背面的第二引脚区域，所述第一引脚区域和所述第二引脚区域呈对角方向设置；提供第一石英晶片，在所述第一石英晶片上且对应所述压电传感器晶片正面的所述第一引脚区域的位置形成第一缺口，在所述第一石英晶片上且对应所述压电传感器晶片背面的第二引脚区域的位置形成第二缺口，形成第一封装侧面部件；提供第二石英晶片，在所述第二石英晶片上且对应所述压电传感器晶片背面以及所述第二引脚区域的位置形成第三缺口，在所述第二石英晶片上且对应所述压电传感器正面的所述第一引脚区域的位置形成第四缺口，形成第二封装侧面部件；将所述第一封装侧面部件与所述压电传感器晶片正面键合，将所述第二封装侧面部件与所述压电传感器晶片背面键合。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都泰美克晶体技术有限公司 一种压电石英传感器的封装方法及压电石英传感器

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