申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2022-07-19

公开（公告）日：2022-09-23

公开（公告）号：CN115101549A

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.14#实质审查的生效;2022.09.23#公开

摘要：本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种CIS半导体器件像素隔离区制造方法。包括：提供CIS基层，CIS基层的上表面形成第一氧化层；在第一氧化层上依次沉积形成多晶硅层和第二氧化层；在第二氧化层上，通过光阻层定义出隔离区图案，隔离区图案对应相邻两个像素单元区的间隔位置；基于隔离区图案，以多晶硅层为刻蚀停止层，对第二氧化层进行刻蚀，使得隔离区图案转移到第二氧化层中；去除光阻层后，基于第二氧化层中的隔离区图案，以第一氧化层为刻蚀停止层，对多晶硅层进行刻蚀，使得隔离区图案转移到多晶硅层中；去除第二氧化层后，基于多晶硅层中的隔离区图案，进行高能量离子注入，在隔离区图案对应的CIS基层中形成隔离区。

主权项：1.一种CIS像素隔离区的制造方法，其特征在于，所述CIS像素隔离区的制造方法包括以下步骤：提供CIS基层，所述CIS基层包括呈阵列排布的像素单元区，相邻两个像素单元区相间隔，所述CIS基层的上表面形成第一氧化层；在所述第一氧化层上依次沉积形成多晶硅层和第二氧化层；在所述第二氧化层上，通过光阻层定义出隔离区图案，所述隔离区图案对应相邻两个像素单元区的间隔位置；基于所述隔离区图案，以所述多晶硅层为刻蚀停止层，对所述第二氧化层进行刻蚀，使得所述隔离区图案转移到所述第二氧化层中；去除所述光阻层后，基于所述第二氧化层中的隔离区图案，以所述第一氧化层为刻蚀停止层，对所述多晶硅层进行刻蚀，使得所述隔离区图案转移到所述多晶硅层中；去除所述第二氧化层后，基于所述多晶硅层中的隔离区图案，进行高能量离子注入，在所述隔离区图案对应的所述CIS基层中形成隔离区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 CIS像素隔离区的制造方法

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