申请/专利权人：合肥新晶集成电路有限公司

申请日：2022-08-25

公开（公告）日：2022-09-23

公开（公告）号：CN115101509A

主分类号：H01L23/544

分类号：H01L23/544;H01L21/66;G11C29/00;G11C29/08;G01R31/28

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.11.11#授权;2022.10.14#实质审查的生效;2022.09.23#公开

摘要：本公开涉及一种晶圆结构及芯片良率检测方法，涉及半导体技术领域。该晶圆结构包括：晶圆以及设置于晶圆上的至少一个芯片和至少一个测试模组；芯片包括至少一个待测模块；任一待测模块对应至少一个测试模组，测试模组用于测试待测模块的待测性能；测试模组包括：基准测试图形，基准测试图形的特征尺寸为基准特征尺寸；基准特征尺寸相对于待测模块的待测特征尺寸按照预设比例缩小；以及，多个系列测试图形，多个系列测试图形的特征尺寸不同，且任一系列测试图形的特征尺寸相对于基准特征尺寸具有偏移。上述晶圆结构可以减少芯片良率提升研发过程中的晶圆使用数量，且有利于缩短芯片良率检测时间及缩短芯片良率提升的研发时间。

主权项：1.一种晶圆结构，其特征在于，包括：晶圆以及设置于所述晶圆上的至少一个芯片和至少一个测试模组；所述芯片包括至少一个待测模块；任一所述待测模块对应至少一个所述测试模组，所述测试模组用于测试所述待测模块的待测性能；所述测试模组包括：基准测试图形，所述基准测试图形的特征尺寸为基准特征尺寸；所述基准特征尺寸相对于所述待测模块的待测特征尺寸按照预设比例缩小；以及，多个系列测试图形，多个所述系列测试图形的特征尺寸不同，且任一所述系列测试图形的特征尺寸相对于所述基准特征尺寸具有偏移。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥新晶集成电路有限公司 晶圆结构及芯片良率检测方法

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