申请/专利权人：成都探芯科技有限公司

申请日：2022-08-29

公开（公告）日：2022-09-23

公开（公告）号：CN115101473A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.26#授权;2022.10.14#实质审查的生效;2022.09.23#公开

摘要：本发明提供一种铝通孔芯片的去层方法，该铝通孔芯片的去层方法包括如下步骤：S1：将芯片进行干法刻蚀，露出铝金属；S2：通过湿法刻蚀将铝金属反应掉，使和铝金属紧贴的阻挡层露出；S3：铝金属反应掉后，铝孔也会被反应，因此会在阻挡层上留下与下层金属连接的孔洞，该孔洞就是通孔的位置；S4：采集该层次的图像将金属线的信息和下层孔的信息全部进行采集。该铝通孔芯片的去层方法具有的优点如下：该方法可以很好地解决同层金属线不在同一水平面上，不同位置的金属线有一个高度的落差，且现有的加工方法会导致做失效分析或电路分析时，电路信息丢失的问题。

主权项：1.一种铝通孔芯片的去层方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：将芯片进行干法刻蚀，露出铝金属；S2：通过湿法刻蚀将铝金属反应掉，使和铝金属紧贴的阻挡层露出；S3：铝金属反应掉后，铝孔也会被反应，因此会在阻挡层上留下与下层金属连接的孔洞，该孔洞就是通孔的位置；S4：采集该层次的图像将金属线的信息和下层孔的信息全部进行采集。

全文数据：

权利要求：

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