申请/专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

申请日：2020-07-28

公开（公告）日：2022-09-23

公开（公告）号：CN111834234B

主分类号：H01L21/48

分类号：H01L21/48;H01L23/498

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.09.23#授权;2020.11.13#实质审查的生效;2020.10.27#公开

摘要：本发明提供了一种通孔填充方法及结构，方法包括：利用胶体填充通孔，并使胶体半固化；去除基底表面上的胶体，其中通孔内的胶体向内凹陷；使胶体固化；在固化胶体上进行打孔，形成标准孔，标准孔的孔径小于通孔的孔径；进行金属沉积，形成过渡结构，过渡结构包覆标准孔侧壁、基底表面以及固化胶体的外表面；通过金属电镀工艺形成电镀金属层，填充标准孔；以及去除基底上下表面上的过渡结构和电镀金属层，上述通孔填充方法形成的结构避免了大孔径高深宽比孔出现空洞及表面镀层过厚等问题，良率高，成本低且可实现性好。

主权项：1.一种通孔填充方法，其特征在于，包括：利用胶体填充通孔，并使胶体半固化；去除基底表面上的胶体，其中所述通孔内的胶体向内凹陷；使胶体固化；在固化胶体上进行打孔，形成标准孔，所述标准孔的孔径小于所述通孔的孔径，同一基板或不同基板上大小不同的孔形成统一可稳定填充的孔型大小；进行金属沉积，形成过渡结构，所述过渡结构包覆标准孔侧壁、基底表面以及固化胶体的外表面；通过金属电镀工艺形成电镀金属层，填充所述标准孔；以及去除基底上下表面上的过渡结构和电镀金属层，形成的结构用于大孔径垂直叠孔，大电流和高频信号传输，和或具有高密度孔阵列的基底；为适应各种个性设计问题提供转换为可操作的稳定工艺模型的办法，先显影再曝光，不需要掩膜板，填充料的材料组分根据外层基底与内部金属性能进行调配，对金属与基底因伸缩效应导致的热失配起到缓冲与释放作用，适合高可靠性要求；根据基底决定配比，以适应基底的热性能或适应金属的热性能。

全文数据：

权利要求：

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