申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2021-05-12

公开（公告）日：2022-09-23

公开（公告）号：CN113257831B

主分类号：H01L27/1157

分类号：H01L27/1157;H01L27/11582

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.09.23#授权;2021.08.31#实质审查的生效;2021.08.13#公开

摘要：本申请提供一种三维存储器及制备方法。制备方法包括：在衬底上形成叠层结构；形成贯穿叠层结构并延伸至衬底的沟道孔，其中在衬底的、与沟道孔的底部和部分侧壁中的至少之一对应的部分形成有碎晶层，其晶格结构与衬底不同；在沟道孔的内壁上依次形成功能层和沟道层；去除衬底以暴露碎晶层和功能层未与碎晶层对应的侧壁的一部分；去除暴露的功能层以暴露沟道层；以及形成与暴露的沟道层接触的导电层。在形成沟道孔的过程中可能发生衬底晶格损伤并产生碎晶，这将导致后续从沟道孔的底部引出的沟道层无法与导电层形成良好的电连接，通过本申请提供的制备方法，无需去除碎晶或对衬底表面进行处理和修复，即可实现沟道层与导电层之间良好的电连接。

主权项：1.一种制备三维存储器的方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上形成叠层结构；形成贯穿所述叠层结构并延伸至所述衬底的沟道孔，其中在所述衬底的、与所述沟道孔的底部和部分侧壁中的至少之一对应的部分形成有碎晶层，所述碎晶层的晶格结构与所述衬底不同；在所述沟道孔的内壁上依次形成功能层和沟道层；去除所述衬底以暴露所述碎晶层和所述功能层未与所述碎晶层对应的侧壁的一部分；去除暴露的所述功能层以暴露所述沟道层；以及形成与暴露的所述沟道层接触的导电层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维存储器及其制备方法

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