申请/专利权人：度亘激光技术(苏州)有限公司

申请日：2022-05-24

公开（公告）日：2022-09-23

公开（公告）号：CN114665375B

主分类号：H01S5/02

分类号：H01S5/02;H01S5/028

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.09.23#授权;2022.07.12#实质审查的生效;2022.06.24#公开

摘要：本发明提供一种半导体芯片制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体芯片制造方法包括在晶圆的远离衬底的侧面划分交替分布且均沿半导体芯片的腔面方向延伸的奇数列和偶数列；在奇数列开设槽底伸至晶圆衬底的第一凹槽，第一凹槽的内侧镀第一膜层；在偶数列开设槽底伸至晶圆衬底且与第一凹槽间隔设置的第二凹槽；在第二凹槽的内侧镀第二膜层；沿半导体芯片的腔面方向在第一凹槽处和第二凹槽处解理晶圆以得到多个巴排。该半导体芯片制造方法通过先镀膜后解理巴排，可以防止巴排产生水波纹状裂纹，以及可以防止半导体芯片的腔面长时间暴露，不需使用夹具翻转巴条。

主权项：1.一种半导体芯片制造方法，其特征在于，包括：在晶圆（1）的远离衬底（10）的侧面划分交替分布的奇数列和偶数列，所述奇数列和所述偶数列均沿半导体芯片的腔面方向延伸；在所述奇数列开设第一凹槽（4），并使所述第一凹槽（4）的槽底伸至晶圆（1）的衬底（10）；在所述第一凹槽（4）的内侧镀第一膜层（40）；在所述偶数列开设与所述第一凹槽（4）间隔设置的第二凹槽（5），并使所述第二凹槽（5）的槽底伸至晶圆（1）的衬底（10）；在所述第一凹槽（4）处设置掩膜板以遮盖所述第一凹槽（4）的槽内空间；在所述第二凹槽（5）的内侧镀第二膜层（50），所述第二膜层（50）为增透膜和反射膜中的一种，所述第一膜层（40）为另一种；沿半导体芯片的腔面方向在所述第一凹槽（4）处和所述第二凹槽（5）处解理晶圆（1）以得到多个巴排（2）。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 度亘激光技术(苏州)有限公司 半导体芯片制造方法

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