申请/专利权人：浙江晶科能源有限公司

申请日：2022-06-15

公开（公告）日：2022-09-23

公开（公告）号：CN114784148B

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L21/268;H01L31/0368;H01L31/048;H01L31/068

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.09.23#授权;2022.08.09#实质审查的生效;2022.07.22#公开

摘要：本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池、光伏组件，太阳能电池的制备方法包括：提供基底；在基底的第一表面一侧形成掺杂非晶硅层；对掺杂非晶硅层进行N次激光处理以在远离基底第一表面的方向上形成N层掺杂多晶硅层，其中，N＞1，且第n次激光处理的功率、波长以及脉冲辐照数均小于第n‑1次激光处理的功率、波长以及脉冲辐照数，形成的N层掺杂多晶硅层中，第n层掺杂多晶硅层中的晶粒尺寸大于第n‑1层掺杂多晶硅层中的晶粒尺寸，其中，n≤N，第一层掺杂多晶硅层朝向基底设置。本申请实施例有利于简化形成太阳能电池的工艺。

主权项：1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底的第一表面一侧形成掺杂非晶硅层，所述掺杂非晶硅层为单层；对所述掺杂非晶硅层进行N次激光处理以在远离所述基底第一表面的方向上形成N层掺杂多晶硅层，其中，N＞1，且第n次所述激光处理的功率、波长以及脉冲辐照数均小于第n-1次所述激光处理的功率、波长以及脉冲辐照数，形成的N层所述掺杂多晶硅层中，第n层掺杂多晶硅层中的晶粒尺寸大于第n-1层掺杂多晶硅层中的晶粒尺寸，其中，n≤N，第一层掺杂多晶硅层朝向所述基底设置；其中，N为2，形成两层掺杂多晶硅层的方法包括：对所述掺杂非晶硅层进行第一次激光处理，形成初始第一层掺杂多晶硅层；对所述初始第一层掺杂多晶硅层进行第二次激光处理，其中，进行了第二次激光处理部分的所述初始第一层掺杂多晶硅层转化为第二层掺杂多晶硅层，所述初始第一层掺杂多晶硅层中，除所述第二层掺杂多晶硅层以外的部分形成第一层掺杂多晶硅层；其中，第一次激光处理的功率为450mJcm2~500mJcm2；波长为520nm~600nm，脉冲辐照数为250~300次；第二次激光处理的功率为150mJcm2~450mJcm2，波长为520nm~600nm，脉冲辐照数为230~280次；其中，形成的太阳能电池为TOPCON电池。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池的制备方法及太阳能电池、光伏组件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD