申请/专利权人：意法半导体(鲁塞)公司

申请日：2021-02-04

公开（公告）日：2022-09-23

公开（公告）号：CN217486401U

主分类号：H02M7/219

分类号：H02M7/219;H02M1/32;H04B5/00

优先权：["20200204 FR 2001096"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.09.23#授权

摘要：实施例公开了电子设备和集成电路。电子设备包括整流桥，整流桥包括：第一分支，连接在整流桥的第一和第二输入节点间；及第二分支，包括串联连接在第一和第二输入节点间的第一和第二金属氧化物半导体晶体管，第一和第二金属氧化物半导体晶体管的源极耦合到整流桥的第四输出节点；第一电阻器，连接在第一金属氧化物半导体晶体管的栅极和第二输入节点之间；第二电阻器，连接在第二金属氧化物半导体晶体管的栅极和第一输入节点之间；与金属氧化物半导体晶体管相关的电路包括：第一端子，连接到金属氧化物半导体晶体管的漏极；第二端子，连接到金属氧化物半导体晶体管的栅极，当电路的第一端子与另一电路的第一端子间电压绝对值大于或等于电路阈值的绝对值且电压具有与阈值相同的符号时，电耦合电路的第一和第二端子。本公开的电子设备和集成电路能防止过电压的影响。

主权项：1.一种电子设备，其特征在于，包括整流桥，所述整流桥包括：第一分支，连接在所述整流桥的第一输入节点和第二输入节点之间，并且包括所述整流桥的第三输出节点；第二分支，包括串联连接在所述第一输入节点和所述第二输入节点之间的第一金属氧化物半导体晶体管和第二金属氧化物半导体晶体管，其中所述第一金属氧化物半导体晶体管和所述第二金属氧化物半导体晶体管的源极被耦合到所述整流桥的第四输出节点；第一电阻器，连接在所述第一金属氧化物半导体晶体管的栅极和所述第二输入节点之间；第二电阻器，连接在所述第二金属氧化物半导体晶体管的栅极和所述第一输入节点之间；以及电路，对于所述第一金属氧化物半导体晶体管和所述第二金属氧化物半导体晶体管中的每个金属氧化物半导体晶体管，与所述金属氧化物半导体晶体管相关联的所述电路包括：第一端子，连接到所述金属氧化物半导体晶体管的漏极；以及第二端子，连接到所述金属氧化物半导体晶体管的所述栅极，其中所述电路被配置为：当所述电路的所述第一端子与另一电路的所述第一端子之间的电压的绝对值大于或等于所述电路的阈值的绝对值、并且所述电压具有与所述阈值相同的符号时，电耦合所述电路的第一端子和第二端子。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 意法半导体(鲁塞)公司 电子设备和集成电路

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD