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【发明公布】一种多层复合ITO薄膜_桂林电子科技大学_202210659042.0 

申请/专利权人:桂林电子科技大学

申请日:2022-06-13

公开(公告)日:2022-09-23

公开(公告)号:CN115094378A

主分类号:C23C14/08

分类号:C23C14/08;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/02

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.11.03#授权;2022.10.14#实质审查的生效;2022.09.23#公开

摘要:本发明公开了一种多层复合ITO薄膜,所述多层复合ITO薄膜包括两ITO层和一M层,其中所述M层位于两ITO层之间,M层的In含量为≥In2O3中In含量的含In层,以保障M层与两层ITO层之间相互结合的稳定性而保障所述多层复合ITO薄膜的结构稳定性;所述M层具有8nm~16nm的厚度,M层并与两层ITO层具有200nm~600nm的总厚度,以保障所述多层复合ITO薄膜的透光性的同时降低所述多层复合ITO薄膜的片阻。

主权项:1.一种多层复合ITO薄膜,其特征在于,包括两ITO层和一层M层;所述M层位于两ITO层之间,M层的In含量为≥In2O3中In含量的含In层,以保障M层与两层ITO层之间相互结合的稳定性而保障所述多层复合ITO薄膜的结构稳定性;所述M层具有8nm~16nm的厚度,M层并与两层ITO层具有200nm~600nm的总厚度,以保障所述多层复合ITO薄膜的透光性的同时降低所述多层复合ITO薄膜的片阻。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 桂林电子科技大学 一种多层复合ITO薄膜

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