申请/专利权人:桂林电子科技大学
申请日:2022-06-13
公开(公告)日:2022-09-23
公开(公告)号:CN115094378A
主分类号:C23C14/08
分类号:C23C14/08;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/02
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.11.03#授权;2022.10.14#实质审查的生效;2022.09.23#公开
摘要:本发明公开了一种多层复合ITO薄膜,所述多层复合ITO薄膜包括两ITO层和一M层,其中所述M层位于两ITO层之间,M层的In含量为≥In2O3中In含量的含In层,以保障M层与两层ITO层之间相互结合的稳定性而保障所述多层复合ITO薄膜的结构稳定性;所述M层具有8nm~16nm的厚度,M层并与两层ITO层具有200nm~600nm的总厚度,以保障所述多层复合ITO薄膜的透光性的同时降低所述多层复合ITO薄膜的片阻。
主权项:1.一种多层复合ITO薄膜,其特征在于,包括两ITO层和一层M层;所述M层位于两ITO层之间,M层的In含量为≥In2O3中In含量的含In层,以保障M层与两层ITO层之间相互结合的稳定性而保障所述多层复合ITO薄膜的结构稳定性;所述M层具有8nm~16nm的厚度,M层并与两层ITO层具有200nm~600nm的总厚度,以保障所述多层复合ITO薄膜的透光性的同时降低所述多层复合ITO薄膜的片阻。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 桂林电子科技大学 一种多层复合ITO薄膜
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。