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【发明公布】蚀刻方法_株式会社东芝_202111002368.8 

申请/专利权人:株式会社东芝

申请日:2021-08-30

公开(公告)日:2022-09-27

公开(公告)号:CN115116840A

主分类号:H01L21/306

分类号:H01L21/306;H01L21/308;H01L49/02;C23C18/16;C23C18/42;C25D5/02;C25D7/12

优先权:["20210318 JP 2021-044887"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2022.10.18#实质审查的生效;2022.09.27#公开

摘要:本发明的实施方式涉及蚀刻方法。在使用催化剂的蚀刻中,不易产生加工不良。实施方式的蚀刻方法包括以下工序:在一个主面具有第1及第2区域的基板上形成第1层,所述第1层在覆盖上述第1区域的部分中设置有多个开口或规定多个岛状部的1个以上的开口,覆盖上述第2区域的部分为连续膜;通过镀覆法在上述主面中的在上述多个开口或上述1个以上的开口内露出的部分上形成包含贵金属的催化剂层;形成第2层,所述第2层将上述催化剂层中的与上述第1及第2区域间的边界邻接的部分覆盖,使上述催化剂层中的与上述边界间隔的部分露出;以及,在上述催化剂层及上述第2层的存在下,用包含氧化剂和氟化氢的蚀刻剂对上述基板进行蚀刻。

主权项:1.一种蚀刻方法,其包括以下工序:在包含半导体材料、具有一个主面彼此邻接的第1区域及第2区域的基板上形成第1层,所述第1层将所述第1区域及所述第2区域覆盖,在覆盖所述第1区域的部分中设置有多个开口或规定多个岛状部的1个以上的开口,覆盖所述第2区域的部分为连续膜;通过镀覆法在所述主面中的在所述多个开口或所述1个以上的开口内露出的部分上形成包含贵金属的催化剂层;形成将所述催化剂层中的与所述第1区域与所述第2区域的边界邻接的部分覆盖、使所述催化剂层中的与所述边界间隔的部分露出的第2层;以及在所述催化剂层及所述第2层的存在下,用包含氧化剂和氟化氢的蚀刻剂对所述基板进行蚀刻。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 株式会社东芝 蚀刻方法

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