申请/专利权人：铠侠股份有限公司

申请日：2022-01-14

公开（公告）日：2022-09-27

公开（公告）号：CN115117233A

主分类号：H01L43/08

分类号：H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;H01L27/22

优先权：["20210319 JP 2021-045389","20210831 US 17/463522"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.18#实质审查的生效;2022.09.27#公开

摘要：实施例提供了包括具有优异特性的磁阻效应元件的磁存储器件。根据一个实施例，一种磁存储器件包括磁阻效应元件，其包括：具有可变磁化方向的第一磁性层，具有固定磁化方向的第二磁性层，以及位于第一磁性层和第二磁性层之间的非磁性层。第一磁性层包括具有磁性的第一层，具有磁性并且比第一层距离非磁性层更远的第二层，以及位于第一层和第二层之间的第三层。第三层包括由绝缘材料或半导体材料形成的第一部分以及被第一部分包围并由导电材料形成的多个第二部分。

主权项：1.一种磁存储器件，包括：磁阻效应元件，其包括：具有可变磁化方向的第一磁性层，具有固定磁化方向的第二磁性层，以及位于所述第一磁性层和所述第二磁性层之间的非磁性层，其中所述第一磁性层包括：具有磁性的第一层，具有磁性并且比所述第一层距离所述非磁性层更远的第二层，以及位于所述第一层和所述第二层之间并且包括第一部分和多个第二部分的第三层，所述第一部分是绝缘材料或半导体材料，所述多个第二部分是导电材料并被所述第一部分包围。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 铠侠股份有限公司 磁存储器件

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