申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2022-01-19

公开（公告）日：2022-09-27

公开（公告）号：CN115116953A

主分类号：H01L21/8238

分类号：H01L21/8238;H01L27/092

优先权：["20210318 KR 10-2021-0035442","20210422 KR 10-2021-0052673"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.09#实质审查的生效;2022.09.27#公开

摘要：一种半导体器件包括在衬底上的第一有源图案。第一有源图案包括一对第一源极漏极图案和在该对第一源极漏极图案之间的第一沟道图案。栅电极设置在第一沟道图案上，第一栅极间隔物设置在栅电极的侧表面上。第一栅极间隔物包括第一间隔物和第二间隔物。第一间隔物的顶表面低于第二间隔物的顶表面。第一阻挡图案设置在第一间隔物上，栅极接触连接到栅电极。第一阻挡图案插置在栅极接触和第二间隔物之间。

主权项：1.一种半导体器件，包括：在衬底上的第一有源图案，所述第一有源图案包括一对第一源极漏极图案和在所述一对第一源极漏极图案之间的第一沟道图案；在所述第一沟道图案上的栅电极；在所述栅电极的侧表面上的第一栅极间隔物，所述第一栅极间隔物包括第一间隔物和第二间隔物，所述第一间隔物的顶表面低于所述第二间隔物的顶表面；在所述第一间隔物上的第一阻挡图案；以及连接到所述栅电极的栅极接触，其中所述第一阻挡图案插置在所述栅极接触和所述第二间隔物之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体器件

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