申请/专利权人：株式会社日立高新技术

申请日：2022-02-09

公开（公告）日：2022-09-27

公开（公告）号：CN115116847A

主分类号：H01L21/311

分类号：H01L21/311;H01L21/3105;C09K13/08

优先权：["20210309 US 17/195,913"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.18#实质审查的生效;2022.09.27#公开

摘要：本发明提供蚀刻方法，兼顾高的氧化硅膜的蚀刻速率和低的氮化硅膜的蚀刻速率，以相对于氮化硅膜高的选择比高精度地蚀刻氧化硅膜。一种蚀刻方法，是干式蚀刻方法，在向处理室内供给处理用的气体且不使用等离子的状态下蚀刻膜构造，其中所述膜构造预先形成于配置在所述处理室内的晶片上，氧化硅膜被氮化硅膜上下夹着而层叠的膜层的端部构成槽或孔的侧壁的，其特征在于，供给氟化氢气体，使所述晶片冷却为‑30℃以下，优选为‑30℃～‑60℃，从所述端部沿横向对所述氧化硅膜进行蚀刻。

主权项：1.一种蚀刻方法，是干式蚀刻方法，在向处理室内供给处理用的气体且不使用等离子的状态下蚀刻膜构造，其中所述膜构造预先形成于配置在所述处理室内的晶片上，氧化硅膜被氮化硅膜上下夹着而层叠的膜层的端部构成槽或孔的侧壁，所述蚀刻方法的特征在于，供给氟化氢的气体，使所述晶片的温度为-30℃以下的低温，优选为-30℃以下并且为-60℃以上，从所述端部沿横向对所述氧化硅膜进行蚀刻。

全文数据：

权利要求：

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