申请/专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司

申请日：2022-03-18

公开（公告）日：2022-09-27

公开（公告）号：CN115116941A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;H01L23/538

优先权：["20210318 DE 102021106691.3"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.09#实质审查的生效;2022.09.27#公开

摘要：提出了一种形成半导体器件的方法。该方法包括提供半导体结构（102）。该方法还包括直接在半导体结构（102）的部分上形成辅助层（104）。硅和氮是辅助层（104）的主要成分。该方法还包括在辅助层（104）上形成导电材料（106）。导电材料（106）包括AlSiCu、AlSi或钨，并且经由辅助层（104）电连接到半导体结构（102）的该部分。

主权项：1.一种形成半导体器件的方法，包括：提供半导体结构（102）；直接在所述半导体结构（102）的部分上形成辅助层（104），其中，硅和氮是所述辅助层（104）的主要成分；以及在所述辅助层（104）上形成导电材料（106），其中，所述导电材料（106）包括AlSiCu、AlSi或钨，并且经由所述辅助层（104）电连接到所述半导体结构（102）的所述部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英飞凌科技奥地利有限公司 半导体器件的制造方法及半导体器件

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