申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2022-06-29

公开（公告）日：2022-09-27

公开（公告）号：CN115117024A

主分类号：H01L23/544

分类号：H01L23/544;H01L21/66;G11C29/56;G11C29/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.18#实质审查的生效;2022.09.27#公开

摘要：本发明提供一种测试结构及其制造方法、测试方法，所述测试结构包括第一子测试模块及第二子测试模块，第一子测试模块包括第一字线、第一有源区、第一接触柱以及第一金属线，第一有源区沿第一方向延伸，利用第一金属线沿第一方向电性串联连接第一有源区；第二子测试模块包括第二字线、第二有源区、第二接触柱以及第二金属线，第二有源区沿第二方向延伸，利用第二金属线沿第二方向电性串联连接第二有源区。本发明中，通过第一子测试模块模拟存储器件的位线沿第一方向的连接状况，通过第二子测试模块模拟存储器件的位线沿第二方向的连接状况，利用监控电阻以达到快速且有效监控存储器件的位线的目的。

主权项：1.一种测试结构，利用所述测试结构在WAT测试中检测存储器件的位线，其特征在于，包括衬底及设于所述衬底上的第一子测试模块及第二子测试模块；所述第一子测试模块包括至少两个第一字线、至少六个第一有源区、若干个第一接触柱以及若干个第一金属线，所述第一字线位于所述衬底上且沿第一方向延伸，所述第一有源区位于所述衬底上且沿所述第一方向延伸，至少六个所述第一有源区沿第二方向排列成至少三组，至少三组所述第一有源区和至少两个所述第一字线沿所述第二方向依次间隔排列，每个所述第一有源区上均设有两个所述第一接触柱，利用所述第一金属线及所述第一接触柱沿以所述第一方向为主要方向串联连接所述第一有源区以形成第一S型测试线路，并以所述第一S型测试线路的首端及尾端作为第一位线测试端；所述第二子测试模块包括至少三个第二字线、至少八个第二有源区、若干个第二接触柱以及若干个第二金属线，所述第二有源区设于所述衬底上且沿所述第二方向延伸，至少八个所述第二有源区沿所述第二方向排列成至少两组，所述第二字线沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向排列，且每组所述第二有源区上设有一个所述第二字线，其余的所述第二字线位于相邻两组所述第二有源区之间的衬底上，所述第二接触柱位于所述第二字线的两侧的第二有源区上，利用第二金属线及所述第二接触柱沿以所述第二方向为主要方向串联连接所述第二有源区以形成第二S型测试线路，并以所述第二S型测试线路的首端及尾端作为第二位线测试端，所述第一方向与所述第二方向正交。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 测试结构及其制造方法、测试方法

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