申请/专利权人:信越化学工业株式会社
申请日:2018-04-20
公开(公告)日:2022-09-27
公开(公告)号:CN110785856B
主分类号:H01L31/0216
分类号:H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18
优先权:["20170623 JP 2017-122764"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2022.09.27#授权;2020.03.06#实质审查的生效;2020.02.11#公开
摘要:本发明提供一种能够提高光电转换效率的太阳能电池的制造方法。本发明为一种太阳能电池的制造方法,其包括:在硅半导体基板上形成pn结的工序、在硅半导体基板的至少一个主表面上制膜氧化铝膜的工序,所述太阳能电池的制造方法的特征在于,在制膜氧化铝膜的工序之前,包括在每1立方米的水蒸气量为20g以上、温度为60℃以上100℃以下的气氛下,对硅半导体基板进行加热处理的工序。由此,可提供一种能够提高光电转换效率的太阳能电池的制造方法。
主权项:1.一种太阳能电池的制造方法,其包括:在硅半导体基板上形成pn结的工序、在所述硅半导体基板的至少一个主表面上制膜氧化铝膜的工序,所述太阳能电池的制造方法的特征在于,在所述制膜氧化铝膜的工序之前,包括在每1立方米的水蒸气量为20g以上、温度为60℃以上100℃以下的气氛下,对所述硅半导体基板进行加热处理的工序。
全文数据:
权利要求:
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