申请/专利权人：武汉华星光电技术有限公司

申请日：2020-04-29

公开（公告）日：2022-09-27

公开（公告）号：CN111403338B

主分类号：H01L21/77

分类号：H01L21/77;H01L27/12

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.09.27#授权;2020.08.04#实质审查的生效;2020.07.10#公开

摘要：本申请提供一种阵列基板的制备方法及阵列基板，该制备方法包括依次在基板上形成有源层、层间绝缘层、像素电极层、源漏金属层、钝化层和公共电极层，有源层包括源极区域和漏极区域；其中，图案化层间绝缘层和像素电极层，以在像素电极层形成像素电极，在层间绝缘层形成第一过孔、第二过孔和第一凹槽，第一过孔裸露出漏极区域，第二过孔裸露出源极区域，第一凹槽与第二过孔连通设置；图案化源漏金属层以形成源极和漏极，漏极设置在第一过孔内，源极设置在第二过孔内并延伸入第一凹槽。本申请减少了阵列基板制作时所需要的光罩数量，从而降低了工艺成本，增加了产品的产能。

主权项：1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基板；在所述基板上形成有源层，所述有源层包括源极区域和漏极区域；在所述有源层上依次形成层间绝缘层和像素电极层；图案化所述层间绝缘层和所述像素电极层，以在所述像素电极层形成像素电极，在所述层间绝缘层形成第一过孔、第二过孔和第一凹槽，所述第一过孔裸露出所述漏极区域，所述第二过孔裸露出所述源极区域，所述第一凹槽与所述第二过孔连通设置；在所述像素电极层上形成源漏金属层，图案化所述源漏金属层以形成源极和漏极，所述漏极设置在所述第一过孔内，所述源极设置在所述第二过孔内并延伸入所述第一凹槽；在所述源漏金属层上依次形成图案化的钝化层和图案化的公共电极层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD