申请/专利权人：北京科技大学广州新材料研究院

申请日：2020-12-29

公开（公告）日：2022-09-27

公开（公告）号：CN112694335B

主分类号：C04B35/571

分类号：C04B35/571;C04B35/577;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/638;H01L23/24;H01L23/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.09.27#授权;2021.05.11#实质审查的生效;2021.04.23#公开

摘要：本发明涉及一种三维连续结构金刚石‑碳化硅基板的制备方法，包括如下步骤：将聚碳硅烷、硅粉、分散剂、粘结剂、塑化剂和溶剂混合后进行湿法球磨，制备流延浆料；将流延浆料进行流延成型，干燥，制备流延坯；在流延坯中通过化学气相渗透过程填充金刚石，制备三维连续结构金刚石‑碳化硅基板。通过以聚碳硅烷为陶瓷前驱体，流延成型法制备薄板状多孔碳化硅，化学气相渗透法在多孔碳化硅上沉积致密的金刚石，达到了致密化的目的。本发明中的三维连续结构金刚石‑碳化硅基板的制备方法，不仅克服了硅蒸汽渗透法导致的基体中大量硅残余与金刚石易石墨化的问题，还有利于提高复合材料热导率。

主权项：1.一种金刚石-碳化硅基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1将聚碳硅烷、硅粉、分散剂、粘结剂、塑化剂和溶剂混合后进行湿法球磨，制备流延浆料，其中，所述聚碳硅烷与硅粉的质量比为100:2.5～25；2将所述流延浆料进行流延成型，干燥，制备流延坯；3在所述流延坯中通过化学气相渗透过程填充金刚石，制备金刚石-碳化硅基板；所述化学气相渗透过程温度为900℃～1200℃，渗透时间为12h～18h。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京科技大学广州新材料研究院 金刚石-碳化硅基板及其制备方法与应用

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