申请/专利权人：福建省晋华集成电路有限公司

申请日：2022-04-01

公开（公告）日：2022-09-27

公开（公告）号：CN217507333U

主分类号：H01L27/108

分类号：H01L27/108;H01L21/8242;H01L21/762

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.09.27#授权

摘要：本申请提供一种半导体器件，该半导体器件包括设置于所述衬底上表面内的多行有源图案；第一隔离结构，设置于所述衬底上表面内且位于同一行的任意相邻两个所述有源图案之间；第二隔离结构，设置于所述衬底上表面内且位于任意相邻两行所述有源图案之间；所述第一隔离结构的深度大于所述第二隔离结构的深度，从而使得所述第一隔离结构位置处的字线等部件可以有更大的伸展空间，加强了接触效果，提升了器件的电学性能。另外，所述第一隔离结构的深度大于所述第二隔离结构的深度，使得深度较深的所述第一隔离结构对其四周的有源图案的下部的支撑力增加，大大降低了有源图案倒塌的风险。

主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；设置于所述衬底上表面内的多行有源图案；其中，所述多行有源图案沿第一方向延伸并且沿第二方向依次排列，所述第二方向不同于所述第一方向；任意相邻两行所述有源图案交错设置；第一隔离结构，设置于所述衬底上表面内且位于同一行的任意相邻两个所述有源图案之间；第二隔离结构，设置于所述衬底上表面内且位于任意相邻两行所述有源图案之间；其中，所述第一隔离结构的底部到所述衬底上表面的垂直距离，大于所述第二隔离结构的底部到所述衬底上表面的垂直距离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福建省晋华集成电路有限公司 半导体器件

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