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【发明公布】一种侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法_深圳芯能半导体技术有限公司_202211104392.7 

申请/专利权人:深圳芯能半导体技术有限公司

申请日:2022-09-09

公开(公告)日:2022-10-18

公开(公告)号:CN115207130A

主分类号:H01L29/78

分类号:H01L29/78;H01L27/02;H01L21/336

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.01.13#授权;2022.11.04#实质审查的生效;2022.10.18#公开

摘要:本发明提供了一种侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法,包括:漏极,碳化硅衬底,碳化硅N外延,位于所述碳化硅N外延上方的第一P+区和第二P+区,位于所述第一P+区上方对称设置的栅氧区、栅极以及N沟道,位于所述栅氧区、栅极以及N沟道侧面的Pwell区和N+区,位于所述Pwell区和N+区上方的源极;其中,所述第一P+区的宽度大于所述第二P+区的宽度,且第一P+区的深度等于所述第二P+区的深度。本发明通过制备5‑10μm的宽碳化硅沟槽,及2‑3μm的窄沟槽,在宽沟槽中的侧壁制备栅氧,底部用作二极管的阳极,窄沟槽整体作为二极管阳极,对栅氧形成电场保护,防止拐角处栅氧被电场击穿。

主权项:1.一种侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET,其特征在于,包括:漏极,位于所述漏极上方的碳化硅衬底,位于所述碳化硅衬底上方的碳化硅N外延,位于所述碳化硅N外延上方的第一P+区和第二P+区,位于所述第一P+区上方对称设置的栅氧区、栅极以及N沟道,位于所述栅氧区、栅极以及N沟道侧面的Pwell区和N+区,位于所述Pwell区和N+区上方的源极;其中,所述第一P+区的宽度大于所述第二P+区的宽度,且第一P+区的深度等于所述第二P+区的深度。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 深圳芯能半导体技术有限公司 一种侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法

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