申请/专利权人:深圳芯能半导体技术有限公司
申请日:2022-09-09
公开(公告)日:2022-10-18
公开(公告)号:CN115207130A
主分类号:H01L29/78
分类号:H01L29/78;H01L27/02;H01L21/336
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.01.13#授权;2022.11.04#实质审查的生效;2022.10.18#公开
摘要:本发明提供了一种侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法,包括:漏极,碳化硅衬底,碳化硅N外延,位于所述碳化硅N外延上方的第一P+区和第二P+区,位于所述第一P+区上方对称设置的栅氧区、栅极以及N沟道,位于所述栅氧区、栅极以及N沟道侧面的Pwell区和N+区,位于所述Pwell区和N+区上方的源极;其中,所述第一P+区的宽度大于所述第二P+区的宽度,且第一P+区的深度等于所述第二P+区的深度。本发明通过制备5‑10μm的宽碳化硅沟槽,及2‑3μm的窄沟槽,在宽沟槽中的侧壁制备栅氧,底部用作二极管的阳极,窄沟槽整体作为二极管阳极,对栅氧形成电场保护,防止拐角处栅氧被电场击穿。
主权项:1.一种侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET,其特征在于,包括:漏极,位于所述漏极上方的碳化硅衬底,位于所述碳化硅衬底上方的碳化硅N外延,位于所述碳化硅N外延上方的第一P+区和第二P+区,位于所述第一P+区上方对称设置的栅氧区、栅极以及N沟道,位于所述栅氧区、栅极以及N沟道侧面的Pwell区和N+区,位于所述Pwell区和N+区上方的源极;其中,所述第一P+区的宽度大于所述第二P+区的宽度,且第一P+区的深度等于所述第二P+区的深度。
全文数据:
权利要求:
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