申请/专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司

申请日：2022-07-25

公开（公告）日：2022-10-21

公开（公告）号：CN114937695B

主分类号：H01L29/423

分类号：H01L29/423;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/78;H01L27/088;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8234

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.10.21#授权;2022.09.09#实质审查的生效;2022.08.23#公开

摘要：本发明提供一种双沟道LDMOS器件及其制备方法以及芯片，属于半导体集成电路技术领域。该LDMOS器件包括半导体衬底以及设置在半导体衬底上的漂移区、体区、源极区、漏极区和栅极结构；栅极结构设置在半导体衬底上方，且栅极结构的下表面一端与第一体区相接，另一端与第一漂移区相接；栅极结构的上表面一端与第二体区相接，另一端与第二漂移区相接；第二体区位于第一体区上方；第二漂移区位于第一漂移区上方；第一漏极区形成在第一漂移区内，第二漏极区形成在第二漂移区内；第一源极区形成在第一体区内，第二源极区形成在第二体区内；第一漏极区与第二漏极区通过第一金属连接结构连通，第一源极区与第二源极区通过第二金属连接结构连通。

主权项：1.一种双沟道LDMOS器件，包括：半导体衬底（1）以及设置在半导体衬底（1）上的漂移区、体区、源极区、漏极区和栅极结构，其特征在于，所述漂移区包括第一漂移区（301）和第二漂移区（302），所述体区包括第一体区（201）和第二体区（202），所述漏极区包括第一漏极区（501）和第二漏极区（502），所述源极区包括第一源极区（401）和第二源极区（402）；所述栅极结构设置在所述半导体衬底（1）上方，且所述栅极结构的下表面一端与所述第一体区（201）相接，另一端与所述第一漂移区（301）相接；所述栅极结构的上表面一端与第二体区（202）相接，另一端与第二漂移区（302）相接；所述第二体区（202）位于所述第一体区（201）上方；所述第二漂移区（302）位于所述第一漂移区（301）上方；所述第一漏极区（501）形成在所述第一漂移区（301）内，所述第二漏极区（502）形成在所述第二漂移区（302）内；所述第一源极区（401）形成在所述第一体区（201）内，所述第二源极区（402）形成在所述第二体区（202）内；所述第一漏极区（501）与第二漏极区（502）通过第一金属连接结构（701）连通，所述第一源极区（401）与所述第二源极区（402）通过第二金属连接结构（702）连通。

全文数据：

权利要求：

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