申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所

申请日：2020-12-28

公开（公告）日：2022-11-08

公开（公告）号：CN112820643B

主分类号：H01L21/329

分类号：H01L21/329;H01L29/872;H01L29/40;H01L29/24

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.11.08#授权;2021.06.04#实质审查的生效;2021.05.18#公开

摘要：本发明公开了一种氧化镓SBD的制备方法及结构，属于半导体制造技术领域。所述氧化镓SBD的制备方法，包括N+高浓度衬底，生长在所述N+高浓度衬底上的N‑低浓度氧化镓外延层，通过在所述N‑低浓度氧化镓外延层上淀积介质掩膜层和金属掩膜层，干法刻蚀未被所述金属掩膜层覆盖的介质掩膜层，湿法腐蚀所述金属掩膜层下部预设宽度的介质掩膜层，去除所述金属掩膜层后，在所述N‑低浓度氧化镓外延层上生长P型异质层，最后制备阴极和阳极。本发明提供的制备氧化镓SBD的方法，采用双层掩膜，湿法腐蚀突破光刻尺寸限制，从而实现更小的P型异质层间距。

主权项：1.一种氧化镓SBD的制备方法，其特征在于，包括：提供一N+高浓度衬底，在所述N+高浓度衬底的正面生长N-低浓度氧化镓外延层；在所述N-低浓度氧化镓外延层上淀积介质掩膜层；在所述介质掩膜层上制作金属掩膜光刻图形，蒸镀金属、剥离光刻胶，形成设有刻蚀窗口的金属掩膜层；按照刻蚀窗口对所述介质掩膜层进行刻蚀，直至露出所述N-低浓度氧化镓外延层；湿法腐蚀所述金属掩膜层下方的介质掩膜层，用于减小介质掩膜层的宽度，然后去除所述金属掩膜层；在所述N-低浓度氧化镓外延层上生长P型异质层，再去除所述介质掩膜层；在所述N-低浓度氧化镓外延层和所述P型异质层上制作阳极，在所述N+高浓度衬底的背面制作阴极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第十三研究所 氧化镓SBD的制备方法及结构

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